в корзине0 шт.
Товары
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры Букинистическое издание Сохранность: Хорошая Издательство: Мир, 1989 г Твердый переплет, 584 стр ISBN 5-03-000737-7 Тираж: 3150 экз Формат: 60x88/16 (~150x210 мм) инфо 7038t.

Редакторы: Л Ченг К Плог В коллективной монографии ведущих американских и западноевропейских ученых дано изложение физических и технологических аспектов проблемы создания полупроводниковых тонкопленбъфоочных структур - одиночных гетеропереходов, структур с квантовыми ямами и сверхрешеток (в том числе квантовых) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) В книге рассмотрены основные принципы МЛЭ, конкретные способы создания различных гетероструктур методом МЛЭ, элеквисчдтронные свойства гетероструктур, результаты по реализации приборов с гетеропереходами (гетеролазеров, фотоприемников и сверхбыстродействующих полевых транзисторов) Для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники Перевод с английского Авторы Лео Эсаки Leo Esaki Б А Джойс B A Joice Уинфрид Мёнх Monch Winfried.

Цена: 552 р.